Компании Samsung Electronics и GlobalFoundries объявили о стратегическом сотрудничестве, которое позволит им предложить свои производственные возможности как единые мощности по выпуску полупроводниковой продукции по 14-нанометровой технологии FinFET. Впервые наиболее передовой техпроцесс будет одновременно доступен у двух контрактных производителей, что позволит обеспечить такие объемы выпуска, которые возможны только при полной совместимости производств, находящихся в разных частях планеты. Сотрудничество охватывает фабрику GlobalFoundries в США и фабрики Samsung в США и Южной Корее.
Упомянутый техпроцесс разработан специалистами Samsung и лицензирован GlobalFoundries. Он основан на технологической платформе, которая уже используется для серийного выпуска однокристальных систем с высокой энергетической эффективностью. Особенностью этого техпроцесса является использование объемных транзисторов с полностью обедненным затвором, позволившее преодолеть ограничения, свойственные ранее использовавшимся планарным транзисторам. Полученный в результате прирост быстродействия достигает 20%, снижение энергопотребления — 35%, уменьшение площади кристалла — 15% по сравнению с планарной 20-нанометровой технологией.
Как утверждают партнеры, они предложили первую платформу FinFET, обеспечивающую реальное уменьшение площади кристалла по сравнению с планарной 20-нанометровой технологией. Нормам 14 нм соответствуют участки кристалла, на которых формируются логические элементы и ячейки SRAM. При этом внутренние соединения формируются по той же схеме, которая используется при 20-нанометровом производстве. Это позволяет получить преимущества FinFET при одновременном снижении рисков и сокращении времени выхода на рынок.
Потенциальные заказчики уже имеют доступ к документации, необходимой, чтобы начать проектирование микросхем, рассчитанных на выпуск по 14-нанометровой технологии FinFET. Партнеры рассчитывают начать серийный выпуск этой продукции в конце 2014 года.
Источники: Samsung, GlobalFoundries