Каждая ячейка 45-нанометровой флэш-памяти Samsung eFlash гарантированно выдерживает миллион циклов перезаписи

У Samsung готова первая в отрасли встраиваемая флэш-память, изготавливаемая по 45-нанометровому «логическому техпроцессу»

ПредыдущаяСледующая

На днях мы рассказывали о встраиваемой энергонезависимой памяти LogicFlash, рассчитанной на выпуск по обычному техпроцессу CMOS, которую разработали специалисты компании Chip Memory Technology. В активе компании Samsung Electronics есть подобная разработка. В отличие от памяти LogicFlash, рассчитанной на выпуск по нормам 130 нм, память eFlash, созданная специалистами Samsumg, рассчитана на выпуск по нормам 45 нм. При этом используется обычный техпроцесс, применяемый при выпуске логических микросхем.

Компания Samsung уже успешно опробовала свою разработку в тестовых чипах для смарт-карт, подтвердив готовность технологии к коммерческому использованию.

Каждая ячейка памяти тестовой микросхемы гарантированно выдерживает миллион циклов перезаписи. Это лучший показатель в классе встраиваемой флэш-памяти, вдвое превосходящий показатель лучшего из конкурирующих решений.

Кроме того, усовершенствовав структуру ячейки и схему ее работы, разработчики смогли сократить время произвольного доступа, так что на операциях чтения новая память оказывается на 50% быстрее памяти eFlash, выпускаемой по нормам 80 нм. Переход к новым технологическим нормам также позволил на 25% повысить энергетическую эффективность.

Областями применения новой памяти названы компоненты средств обеспечения безопасного доступа и мобильных устройств, включая микросхемы смарт-карт, NFC, eSE (embedded secure element) и TPM (Trusted platform module).

Источник: Samsung

19 мая 2013 Г.

09:00

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс