Ученые придумали, как сделать фазовую память на порядок быстрее

Новые материалы могут менять фазовое состояние всего за 500 пс

Память, в которой для представления информации используется изменение фазового состояния вещества, точнее говоря, переход между аморфной и кристаллической структурами, характеризующимися разным сопротивлением, является одним из кандидатов на замену флэш-памяти. В то же время, в самом принципе работы этой памяти кроется противоречие: легкий переход между состояниями позволяет повысить скорость записи, но отрицательно сказывается на надежности хранения.

Новые материалы могут менять фазовое состояние всего за 500 пс

Исследователям из Кембриджского университета удалось повысить скорость записи, не жертвуя надежностью. Идея заключается в том, чтобы «подготовить» вещество к кристаллизации, в результате чего она происходит быстрее. Подготовка заключается в создании слабого электрического поля. Ученые использовали компаунд из германия, сурьмы и теллура. Им удалось получить время кристаллизации 500 пикосекунд, что в десять раз превосходит прежний результат.

Хотя о практическом применении открытия пока говорить рано, по словам исследователей, оно может помочь в создании энергонезависимой памяти, работающей на частоте 1 ГГц и более.

Источник: Science

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс