В ходе мероприятия International Memory Workshop, завершившегося вчера в Милане, группа японских специалистов представила память, в которой используется эффект фазового перехода вещества (phase-change memory, PCM) типа NAND.
Разработчики использовали транзисторы из поликристаллического кремния, изготовленные по технологии MOS, в бесконтактных цепях выборки, построенных по тому же принципу, что и в случае структур флэш-памяти типа NAND. Это позволяет уменьшить теоретический размер ячейки до 4F2 и сократить количество технологических этапов при производстве памяти. Ожидается, что новая технология найдет применение в памяти PCM с объемной компоновок ячеек, такой, как BiCS. Напомним, технологию BiCS, начиная с 2007 года, разрабатывает компания Toshiba.
В современных образцах памяти типа PCM используется интерфейс, характерный для памяти типа RAM, обеспечивающий независимый доступ к каждой ячейке. Он обеспечивает малое время сброса ячейки (десятые доли наносекунды), но сравнительно большое время записи — несколько сотен наносекунд, что отрицательно сказывается на энергопотреблении. В случае с новым интерфейсом время и энергопотребление сокращается за счет одновременного обращения к целому блоку ячеек. По данным разработчиков, скорость записи увеличилась на 670%, а энергопотребление уменьшилось на 70% по сравнению с использованием интерфейса RAM. Минусом является отсутствие произвольного доступа к ячейке.
Источник: Tech-On!