Отраслевая организация JEDEC Solid State Technology Association, занятая выработкой стандартов в области микроэлектроники, объявила о готовности нового стандарта Wide I/O mobile DRAM.
Участники отрасли давно ждали, когда будет принят стандарт Wide I/O mobile DRAM. Дело в том, что его без преувеличения можно назвать революционным, поскольку он качественно отличается от используемых сейчас стандартов мобильной оперативной памяти и соответствует возросшим требованиям по степени интеграции, пропускной способности, быстродействию, энергопотреблению и миниатюризации. Предполагается, что память, соответствующая спецификациям JESD229, найдет применение в смартфонах, планшетах, карманных игровых консолях и других мобильных электронных устройствах.
Стандарт Wide I/O mobile DRAM открывает дорогу объемной компоновке с применением технологии Through Silicon Via (TSV) на уровне кристаллов памяти и кристаллов однокристальных систем. Разработчики определили возможности, функциональность, характеристики по постоянному и переменному току, расположение и назначение выводов. Максимальная пропускная способность новой памяти равна 17 ГБ/с, что вдвое превосходит возможности LPDDR2 при том же уровне энергопотребления.
Документ под названием JESD229 Wide I/O Single Data Rate (SDR) уже доступен для бесплатной загрузки на сайте JEDEC.
Кстати, несколько дней назад появилась информация, что компания Elpida Memory начала поставку ознакомительных образцов микросхем оперативной памяти Wide IO Mobile RAM плотностью 4 Гбит.
Источник: JEDEC