Компания Elpida Memory, занимающая третье место в мире среди производителей памяти типа DRAM, объявила о начале поставок ознакомительных образцов микросхем оперативной памяти Wide IO Mobile RAM и DDR3 Mobile RAM (LPDDR3) плотностью 4 Гбит.
Память нового поколения для мобильных устройств Wide IO Mobile RAM по ширине шина ввода-вывода более чем в десять раз превосходит современную память типа DRAM. Использование 512-разрядной шины позволило получить пропускную способность 12,8 ГБ/с в расчете на одну микросхему при тактовой частоте 200 МГц. Снижение тактовой частоты позволило примерно на 50% уменьшить энергопотребление по сравнению с показателем памяти DDR2 Mobile RAM (LPDDR2).
Память LPDDR3 тоже предназначена для мобильных устройств. По скорости передачи она вдвое превосходит LPDDR2. Используя две микросхемы LPDDR3, можно получить пропускную способность 12,8 ГБ/с. И опять-таки, по сравнению с памятью LPDDR2 той же производительности, LPDDR3 потребляет примерно на 25% меньше электроэнергии.
Серийный выпуск памяти обоих типов начнутся в будущем году. Кроме того, Elpida планирует использовать новые чипы для создания двухслойных решений плотностью 8 Гбит и четырехслойных — плотностью 16 Гбит.
Источник: Elpida Memory