Создана ячейка памяти типа RRAM размерами 10 х 10 нм

Память типа RRAM может прийти на смену флэш-памяти NAND

ПредыдущаяСледующая

На мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting бельгийский институт IMEC представил не только чип, в котором микроэлектромеханическая система (MEMS) используется для преобразования механической энергии вибраций в электрическую, но и другую интересную разработку.

Специалистам института IMEC удалось создать ячейку резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM) размерами 10 х 10 нм.

По словам ученых, это — самая маленькая ячейка RRAM на сегодняшний день. Достижение показывает, что у памяти типа RRAM есть потенциал стать заменой флэш-памяти типа NAND.

Актуальность поисков альтернативы памяти NAND возрастает по мере уменьшения технологических норм. Считается, что флэш-память в ее нынешнем виде уже вплотную приблизилась к пределу, который определен самим принципом ее работы, основанным на хранении заряда. В памяти RRAM используется другой принцип — переключение участка материала между двумя стабильными состояниями. В качестве такого материала специалисты IMEC использовали слои гафния и оксида гафния, расположив их между электродами из нитрида титана.

Ячейка выдерживает более миллиарда циклов перезаписи, работает при напряжении менее 3 В, переключается в течение наносекунд, затрачивая на переключение 0,1 пДж энергии. При температуре 100°С она может хранить информацию в течение 10 лет.

Источники: IMEC, EE Times

9 декабря 2011 Г.

10:00

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс