Сегодня компания Texas Memory Systems распространила пресс-релиз, посвященный выпуску хранилища RamSan-720. Достоинствами новинки названы высокая производительность и надежность. Кроме того, хранилище характеризуется малой потребляемой мощностью и большими возможностями по наращиванию объема.
Для повышения надежности используется технология 2D Flash RAID, заключающаяся в формировании массива с избыточностью на уровне чипов флэш-памяти. Эта схема дополнена централизованным объединением в массив RAID на уровне модулей. В случае аппаратного отказа система автоматически меняет конфигурацию, чтобы не использовать неисправный чип (для этого используется запатентованная технология Variable Stripe RAID). Картину дополняет наличие продублированных контроллеров RAID, внешних интерфейсов SAN (в качестве которых выступают Fibre Channel 8 Гбит/с или QDR InfiniBand) и блоков питания. Потребляемая мощность одного модуля типоразмера 1U равна 300-400 Вт. Объем памяти составляет 12 ТБ, что позволяет получить в одной стойке хранилище объемом до 500 ТБ.
Поставки RamSan-720 производитель обещает начать в январе 2012 года.
Источник: Texas Memory Systems