О намерении совместно разрабатывать магнитную память с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (spin torque transfer magnetic random access memory, STT-MRAM) объявили компания Micron Technology и сингапурский институт A*STAR Data Storage Institute (DSI). Указанная память является энергонезависимой и считается перспективной заменой флэш-памяти.
Сейчас флэш-память используется в твердотельных накопителях, обеспечивая им такие достоинства, как высокое быстродействие и невосприимчивость к механическим воздействиям в силу отсутствия движущихся частей. К сожалению, переход к все более тонким нормам техпроцесса, необходимый для снижения стоимости флэш-памяти, отрицательно сказывается на ее надежности и долговечности. Другим минусом флэш-памяти является сравнительно высокая мощность, потребляемая при записи данных.
Память типа STT-MRAM лишена этих недостатков. Кроме того, у нее есть качества, необходимые для того, чтобы выступить потенциальной заменой оперативной памяти с произвольным доступом (DRAM).
Программа сотрудничества Micron и DSI рассчитана на три года и предусматривает создание приборов STT-MRAM высокой плотности.
Разработки в области STT-MRAM ведут и другие участники рынка.
Источник: DSI