Специалисты ITRI разработали память типа RRAM, готовую для серийного производства

Исследователи надеются на скорую коммерциализацию разработки

Тайваньский технологический институт ITRI (Industrial Technology Research Institute) ведет разработки в области резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM). Эта память рассматривается в качестве потенциальной замены флэш-памяти. Усилия специалистов ITRI уже начали приносить плоды.

В ячейках флэш-памяти типа NAND используется технология плавающего затвора, которая начинает сталкиваться с принципиальными ограничениями, когда нормы техпроцесса становятся меньше 20 нм. Это побуждает производителей активно искать замену технологии NAND.

К достоинствам RRAM относится не только возможность изготовления по более тонким нормам. Эта память характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением.

Разработанная в ITRI память типа RRAM успешно освоена в серийном производстве с использованием 200-миллиметровых пластин и 30-нанометрового техпроцесса. Исследователи надеются на скорую коммерциализацию разработки, на первом этапе, используя техпроцессы «20-нанометрового класса» на фабриках, обрабатывающих 300-миллиметровые пластины.

Источник: DigiTimes

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс