Тайваньский технологический институт ITRI (Industrial Technology Research Institute) ведет разработки в области резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM). Эта память рассматривается в качестве потенциальной замены флэш-памяти. Усилия специалистов ITRI уже начали приносить плоды.
В ячейках флэш-памяти типа NAND используется технология плавающего затвора, которая начинает сталкиваться с принципиальными ограничениями, когда нормы техпроцесса становятся меньше 20 нм. Это побуждает производителей активно искать замену технологии NAND.
К достоинствам RRAM относится не только возможность изготовления по более тонким нормам. Эта память характеризуется высоким быстродействием и малым энергопотреблением.
Разработанная в ITRI память типа RRAM успешно освоена в серийном производстве с использованием 200-миллиметровых пластин и 30-нанометрового техпроцесса. Исследователи надеются на скорую коммерциализацию разработки, на первом этапе, используя техпроцессы «20-нанометрового класса» на фабриках, обрабатывающих 300-миллиметровые пластины.
Источник: DigiTimes