Компании Samsung и Micron решили объединить усилия в разработке новой технологии компьютерной памяти. С этой целью они сформировали консорциум Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC).
Задачей объединения является разработка и продвижение открытой спецификации интерфейса для продуктов, в которых будет использоваться технология Hybrid Memory Cube, показанная на IDF 2011.
В основе Hybrid Memory Cube — объемная компоновка с применением межслойных соединений (through-silicon-via, TSV), включающая несколько чипов DRAM и чип с логической схемой, реализующей функцию высокоскоростного ввода-вывода. По замыслу разработчиков, «кубы памяти» должны обеспечить существенный прирост производительности при одновременном снижении габаритов и энергопотребления подсистемы памяти. Утверждается, что по сравнению с модулями DDR3 DRAM быстродействие возрастет в 15 раз, а энергопотребление сократится на 70% в пересчете на один бит.
Усилия Samsung и Micron уже готовы поддержать компании Altera, Open Silicon и Xilinx. Участники HMCC приглашают других производителей к участию в консорциуме.
Источник: EE Times