Группе специалистов токийского университета удалось разработать технологию энергонезависимой памяти, рассчитанной на изготовление с применением стандартного техпроцесса CMOS, применяемого при выпуске логических микросхем.
В новой памяти в качестве «ловушки» для электрического заряда используется пленка диоксида кремния (SiO2), изолирующая затвор транзистора. Ранее уже удавалось использовать ее для записи и хранения информации. Однако процесс стирания вызывал сложности. По этой причине существовало убеждение, что по указанной технологии возможно изготовление только памяти с однократной записью.
Ученые предложили новую технологию, которую они назвали «схема стирания с помощью стока». Для стирания в ней используется ток, подаваемый на сток транзистора. Интересно, что эффект стирания был обнаружен одним из студентов по счастливой случайности. Подробности явления, лежащего в его основе, до конца еще не выяснены. Прототип, изготовленный по нормам 65 нм, выдерживает примерно 100 операций стирания, а срок хранения информации оценивается в 10 лет. Для некоторых приложений этих показателей вполне достаточно.
Еще одно достоинство новой памяти — маленький размер ячейки (8F2). Это делает ее подходящей для встраивания, например, в микроконтроллеры и микропроцессоры, где в ней можно было бы хранить встроенное программное обеспечение, данные конфигурацию или настройки.
Источник: Tech-On!