В рамках мероприятия Mobile Solutions Forum компания Samsung представила новые технологии, которые предназначены для мобильных устройств, включая смартфоны и планшеты.
Новые чипы памяти LPDDR3, производимые по нормам 30-нм класса, потребляют на 20% меньше энергии, чем их предшественники. При этом скорость передачи данных возросла в полтора раза – с 1066 до 1600 Мбит/с. Чипы плотностью 4 Гбит можно сочетать по две или четыре штуки для получения модулей памяти объёмом 1 и 2 ГБ соответственно. Заявленная пропускная способность таких модулей достигает значения 12,8 ГБ/с.
Микросхемы формата e-MMC объёмом 64 ГБ основаны на 20-нанометровой флэш-памяти NAND плотностью 64 Гбит. Новинки, представляющие собой «бутерброд» из восьми чипов имеют толщину 1,4 мм и весят 0,6 г. Устройства с поддержкой интерфейса Toggle DDR 2.0 развивают скорости передачи данных до 80 МБ/с при чтении и до 40 МБ/с при записи. Производительность при произвольной записи составляет 400 операций ввода-вывода (IOPS).
Поставки ознакомительных образцов начнутся в четвёртом квартале.