Не успела компания Samsung объявить о начале выпуска памяти типа DDR3 по технологии «20-нанометрового класса» на своем новом предприятии, как о воем достижении в этой области сообщила японская компания Elpida Memory.
Специалисты Elpida Memory создали самый маленький в мире чип DDR3 DRAM плотностью 4 Гбит. Для его изготовления применена 25-нанометровая технология.
По сравнению с памятью DRAM такой же плотности, изготовленной по 30-нанометровой технологии, новая память Elpida характеризуется заметно меньшим потребляемым током. В рабочем режиме разница достигает 25-30%, а в режиме ожидания — даже 30-50%. Кроме того, переход от норм 30 нм к нормам 25 позволит изготавливать из одной пластины на 45% больше чипов плотностью 4 Гбит. Максимальная тактовая частота новых изделий равна 1866 МГц, а напряжение питания может быть равно 1,5 или 1,35 В.
Поставку образов и серийный выпуск указанной продукции компания рассчитывает начать до конца года.
Источник: Elpida Memory