Специалистам исследовательского подразделения компании IBM удалось продемонстрировать, что память, в которой используется эффект фазового перехода вещества (phase-change memory, PCM), может хранить в одной ячейке несколько битов информации в течение длительного времени. Этот шаг стал существенным продвижением в разработке памяти, которая, как ожидается, станет недорогой, быстродействующей и более надежной альтернативой флэш-памяти и оперативной памяти в широком круге приложений — от устройств бытовой электроники до твердотельных накопителей в корпоративных системах хранения данных.
Ученые давно ищут универсальную энергонезависимую память, которая могла бы прийти на смену используемой сейчас флэш-памяти. Память типа PCM способна записывать и считывать информацию в 100 раз быстрее, чем флэш-память. Количество циклов перезаписи у нее составляет не менее 10 млн. Для сравнения: флэш-память «корпоративного класса» характеризуется 30000 циклов, флэш-память для потребительской электроники — 3000 циклов.
Как утверждается, энергонезависимая память PCM, в которой сочетается высокое быстродействие, надежность и плотность, может обеспечить сдвиг парадигмы в корпоративной компьютерной технике и системах хранения в течение ближайших пяти лет.
Источник: IBM