Samsung объявила о начале массового производства модулей памяти DDR3 объемом 32 ГБ каждый, выполненных с соблюдением норм 30 нм и набранных микросхемами плотностью 4 Гбит. Компания утверждает, что это первые продукты на рынке с подобным сочетанием характеристик и рассчитывает на их быстрое проникновение во все целевые сегменты, включая мобильные и настольные ПК, а также серверы.
Вышеупомянутые регистровые модули способны функционировать на частотах до 1866 МГц и напряжении 1,35 В, при этом обеспечивая 18-процентное снижение энергопотребления по сравнению с предыдущим поколением, выполненном с соблюдением норм 40 нм (при частоте 1333 МГц и напряжении 1,5 В).
Samsung начала осваивать производство таких чипов в феврале, спустя год после начала выпуска 40-нанометровых микросхем стандарта DDR3 плотностью 4 Гбит. Уже через два месяца компания предложила модули емкостью 16 ГБ ряду производителей серверов. Помимо серверных регистровых моделей объемом 32 ГБ, Samsung добавила в свой ассортимент модули SO-DIMM, емкость которых достигла 8 ГБ, при напряжении 1,5 В эти новинки способны работать на частоте 2133 МГц.
Компания также собирается наращивать объемы производства 20-нанометровых чипов плотностью 4 Гбит во второй половине этого года, заполняя рынок энергоэффективных устройств. В следующем году порядка 10% от всех выпускаемых Samsung микросхем ОЗУ будут иметь такую или более высокую плотность.
Источник: Samsung