У Elpida готовы микросхемы памяти DDR2-1066 Mobile RAM плотностью 4 Гбит, рассчитанные на напряжение 1,2 В

Новая память рассчитана на выпуск по нормам 30 нм

ПредыдущаяСледующая

Японская компания Elpida Memory объявила о разработке 30-нанометровых микросхем памяти Mobile RAM типа DDR2 плотностью 4 Гбит. Новая память рассчитана на напряжение питания 1,2 В, демонстрируя скорость передачи данных 1066 Мбит/с. Ток, потребляемый при этом, примерно на 30% меньше, чем ток, потребляемый пары 40-нанометровых чипов Elpida плотностью по 2 Гбит каждый.

По словам производителя, новые микросхемы являются самыми маленькими в своем классе. Они предназначены для мобильных устройств, включая смартфоны и планшеты.

Elpida планирует выпускать новую память в нескольких вариантах внешнего оформления, включая микросхемы в корпусах FBGA и «голые» кристаллы, рассчитанные на использование в многокристальных сборках. В случае многоуровневой упаковки и FBGA объем продуктов будет равен 8 и 16 ГБ.

В текущем месяце появятся ознакомительные образы, а серийный выпуск компания рассчитывает начать в июне.

Источник: Elpida

7 апреля 2011 Г.

13:48

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс