Общемировой объем поставок памяти типа DRAM в 2011 году достигнет 3,23 млрд. эквивалентных сипов плотностью 1 Гбит, что на 58,8% больше, чем в текущем году, полагают аналитики Digitimes Research. Увеличение объема выпуска обусловлено повышением производительности в связи с освоением более совершенных техпроцессов.
Особенно преуспели в этом компании Elpida Memory и Samsung Electronics, которые по росту объемов опередят отрасль. Японский производитель, использующий нормы 40 нм, за год увеличит объем выпуска на 67%, а его южнокорейский конкурент, первым в отрасли освоивший нормы 36 нм, — на 64%.
С другой стороны, компании Hynix Semiconductor и Micron Technology сумеют нарастить объемы лишь на 51% и 41% соответственно, что ниже среднеотраслевого показателя.
В целом, продукция 40-нанометрового класса составит 65,2% всего объема выпуска DRAM в 2011 году. В текущем году доля этой продукции составила 39,1%. Выпуск памяти типа DRAM по нормам 50 нм и более в 2011 году будет прекращен.
Источник: DigiTimes