Первой в отрасли завершила разработку и освоила выпуск микросхем динамической памяти с произвольным доступом, пониженным энергопотребление и поддержкой удвоенной скорости передачи (LPDDR2 DRAM) компания Samsung Electronics.
Первые монолитные чипы плотностью 4 Гбит были изготовлены по технологии 30-нанометрового класса в ноябре. Компания предполагает, что они найдут применение в мобильных устройствах верхнего сегмента, таких, как смартфоны и планшеты.
В один корпус микросхемы плотностью 8 Гбит упаковывается два чипа, тогда как ранее для этого требовалось 4 чипа по 2 Гбит каждый. Уменьшение числа кристаллов позволило уменьшить толщину микросхем на 20% (с 1 мм до 0,8 мм), а потребляемую мощность — на 25%.
Микросхемы LPDDR2 DRAM могут передавать данные со скоростью до 1066 Мбит/с, что приближается к скоростям памяти, используемой в ПК, и более чем вдвое превосходит показатель памяти типа mobile DRAM (MDDR), работающей со скоростью 333 или 400 Мбит/с.
Поставки ознакомительных образцов новых микросхем памяти LPDDR2 плотностью 8 Гбит уже начались.
Источник: Samsung Electronics