Южнокорейский электронный гигант первым в отрасли приступил к серийному производству чипов флэш-памяти типа NAND плотностью 64 Гбит, изготавливаемых по технологии 20-нанометрового класса. Память, способная хранить в каждой ячейке по три бита информации, предназначена для флэш-накопителей с интерфейсом USB и карт памяти формата Secure Digital.
По словам Samsung, новая память по производительности превосходит память плотностью 32 Гбит, выпускаемую по 30-нанометровой технологии. Это связано с тем, что новые чипы соответствуют спецификации Toggle DDR (Double Data Rate) 1.0, тогда как старые рассчитаны на передачу данных по технологии SDR (Single Data Rate). Предполагается, что однокристальные продукты емкостью 8 ГБ (64 Гбит) с поддержкой технологии Toggle DDR постепенно заменят применяемые сейчас чипы плотностью 32 Гбит.
В апреле компания Samsung представила рассчитанные на 20-нанометровый техпроцесс чипы плотностью 32 Гбит и анонсировала выпуск карт памяти на их основе.
Источник: Samsung Electronics