Специалисты Elpida Memory преуспели в разработке чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, рассчитанных на производство по 30-нанометровой технологии.
По словам производителя, новинки являются самыми маленькими чипами такого типа и такой плотности. Переход на нормы 30 нм позволит получать из каждой пластины на 45% больше памяти по сравнению с техпроцессом, основанным на соблюдении норм 40 нм. Более того, производитель постарался уменьшить расходы, связанные с переходом к новому техпроцессу. В результате, как утверждается, новые чипы DDR3 плотностью 2 Гбит «будут исключительно конкурентным по цене продуктом».
Новые продукты Elpida соответствуют спецификациям JEDEC для памяти DDR3-1866 и памяти с пониженным напряжением питания (1,35 В) DDR3L-1600. Ожидается, что такая память станет наиболее массовой в 2011 году. Ознакомительные образцы Elpida собирается начать рассылать в декабре, тогда же начнется серийный выпуск. Новый техпроцесс планируется применить и при производстве памяти Mobile RAM, а вкупе с технологией Through Silicon Via (TSV) — для выпуска однокорпусной памяти, предназначенной для сотовых телефонов, цифровых камер и ПК.
Источник: Elpida