Кембриджские исследователи разработали память, рассчитанную на однократную запись и многократное считывание (write-once-read-many-times, WORM), для работы которой достаточно во много раз меньше энергии, чем для существующей памяти такого типа. По мнению ученых, память с таким низким энергопотреблением хорошо подходит для интеграции в электронные схемы из органических материалов, для которых характерна очень малая потребляемая мощность.
Разработка была направлена на создание памяти для радиочастотных меток, RFID. Дело в том, что память меток должна предусматривать однократную запись и многократное чтение. Для работы памяти должно быть достаточно энергии, поступающей с радиоволнами от устройства считывания. Важным критерием является низкая стоимость, поскольку метки RFID являются одноразовыми.
Память WORM созданная в Кембридже, удовлетворяет всем этим условиям. При записи частицы полупроводникового оксида цинка аоздействуют на проводящий полимер. За счет этого он теряет проводящие свойства и становится диэлектриком. Требуемая для программирования плотность энергии на два порядка меньше, чем у типовых приборов памяти WORM с пониженным энергопотреблением. Для изготовления памяти предполагается использовать более дешевый техпроцесс, чем литография, применяемая для выпуска кремниевых микросхем памяти.
Источник: PhysOrg.com