Samsung Electronics освоила 32-нанометровый техпроцесс LP HKMG

ПредыдущаяСледующая

Компании Samsung Electronics, точнее говоря, Samsung Foundry — ее подразделению, занятому производством полупроводниковой продукции, удалось освоить 32-нанометровый техпроцесс, основанный на применении материалов с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов, оптимизированный по критерию энергопотребления (LP HKMG — low-power high-k metal gate). Техпроцесс успешно протестирован на линии по выпуску логических чипов с использованием 300-миллиметровых пластин и доступен для заказчиков.

По словам Samsung Foundry, компании удалось первой в отрасли предложить сторонним заказчикам 32-нанометровый техпроцесс LP HKMG, рассчитанный на выпуск логических микросхем. Он будет использоваться для выпуска микросхем с пониженным энергопотреблением, предназначенных, прежде всего, для мобильных устройств. Как утверждается, переход к нормам 32 нм позволит удвоить плотность размещения логических элементов по сравнению с плотностью, достижимой при изготовлении микросхем по 45-нанометровой технологии.

Тестовые однокристальные системы (SoC), изготовленные Samsung Foundry с использованием нового техпроцесса, имеют существенно меньшее (на 30-50%) энергопотребление, чем работающие на той же частоте SoC, изготовленные по нормам 45 нм. В конфигурацию SoC вошли блоки, разработанные партнерами Samsung Foundry: ядро ARM 1176, блоки подсистемы памяти и ввода-вывода, интерфейс USB 2.0 OTG.

Освоить новую технологию Samsung Foundry помогло участие в технологическом союзе IBM Joint Development Alliance (JDA). В будущем компания планирует предложить заказчикам выпуск продукции по нормам 28 нм.

Источник: Samsung Electronics

12 июня 2010 Г.

12:58

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс