Специалисты Fujitsu Laboratories Limited и университета города Торонто сообщили о разработке первого в мире высоконадежного способа чтения для магнитной памяти с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (spin torque transfer magnetic random access memory, STT MRAM).
Флэш-память типа NOR, широко используемая в современной электронике, скоро достигнет пределов миниатюризации, что заставляет искать альтернативную технологию. Одним из наиболее перспективных направлений работ по созданию потенциального преемника флэш-памяти в роли энергонезависимой памяти является создание памяти типа STT MRAM. К достоинствам STT MRAM относится малое энергопотребление, высокое быстродействие и миниатюризация. Принцип хранения информации в ячейке STT MRAM основан на изменении направления намагниченности в результате прохождения тока через магнитный материал. Материал может принимать два состояния, соответствующих большому и малому сопротивлению участка, что и позволяет хранить информацию.
При чтении к элементу STT MRAM прикладывают напряжение, чтобы оценить сопротивление. Сравнительно высокое значение напряжения, приложенного непосредственно к ячейке, может вызвать протекание тока, который изменит состояние. Другими словами, одним из препятствий на пути создания STT MRAM является очень маленькая разница между током чтения и током записи. Флюктуации в свойствах ячеек могут привести к ошибкам при чтении.
Специалистам Fujitsu и университета Торонто удалось обойти это препятствие и приблизиться к практическому применению STT MRAM. Суть разработки заключается в том, что ток пропускают не по основной, а по параллельной цепи, свойства которой отражают состояние ячейки. Это дает возможность считать информацию, не рискуя выполнить ошибочную запись.
Источник: Fujitsu