Компания Rambus, известная своими разработками в области подсистем памяти, представила новую архитектуру памяти под названием Mobile XDR. Она базируется на подходах, обозначенных Rambus в инициативе Mobile Memory Initiative, представленной в прошлом году.
Архитектура Mobile XDR характеризуется большой пропускной способностью и малым энергопотреблением. Это позволяет создавать микросхемы памяти, которые, по словам Rambus, «превосходят ориентиры энергопотребления и производительности для мобильных продуктов следующего поколения».
Как утверждается, архитектура Mobile XDR обеспечит создание памяти с пропускной способностью 3,2-4,3 Гбит/с в расчете на один вывод «с непревзойденной энергетической эффективностью». Это означает, что компонент памяти Mobile XDR DRAM сможет передавать данные со скоростью 12,8-17 ГБ/с по шине шириной четыре байта. Что касается энергетической эффективности, ее характеризует мощность 2,2 мВт, необходимая для передачи одного гигабита данных за одну секунду. Резервом повышения энергетической эффективности стало уменьшение энергопотребления в активном режиме и ускорение перехода в энергосберегающие режимы. На практике, по оценке Rambus, время автономной работы многих мобильных устройств увеличится более чем на 30 минут даже при полной нагрузке на память.
Ключевыми компонентами Mobile XDR является динамическая память с произвольным доступом Mobile XDR DRAM, интерфейс физического уровня Mobile XDR PHY (MIO) и контролер Mobile XDR (MXC). Архитектура Mobile XDR уже предложена для лицензирования.
Источник: Rambus