В октябре компания Elpida сообщила о завершении разработки чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, рассчитанных на выпуск по нормам 40 нм, и пообещала начать массовый выпуск этой продукции еще до конца текущего года.
Ведущий японский производитель динамической памяти с произвольным доступом сдержал свое обещание — массовый выпуск 40-нанометровых чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит с пониженным энергопотреблением начался на фабрике Elpida в Хиросиме. Чтобы от первых образцов перейти к серийному производству, компании понадобилось всего два месяца.
По имеющимся данным, переход в производстве чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит от норм 50 нм к нормам 40 нм позволил увеличить выход продукции из одной пластины на 44%. При этом 100% получаемых чипов работоспособны при скорости 1,6 Гбит/с — максимальной стандартизованной скорости DDR3. Чипы памяти Elpida DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит, выпускаемые по нормам 40 нм, рассчитаны как на стандартное напряжение питания DDR3 SDRAM, равное 1,5 В, так и на пониженное — 1,35 и даже 1,2 В. Это положительно сказывается на их энергопотреблении.
Во втором квартале будущего года Elpida намерена освоить выпуск новой продукции на тайваньском дочернем предприятии Rexchip, чтобы снизить себестоимость производства. В зависимости от условий на рынке DRAM, Elpida также сможет перенести 40-нанометровый техпроцесс на фабрики своих партнеров — ProMOS и Winbond, чтобы дополнительно нарастить объемы выпуска.
Источник: Elpida