Специалисты Intel и Numonyx научились создавать многослойные чипы памяти типа PCM

ПредыдущаяСледующая

Корпорация Intel и созданное в прошлом году с ее участием совместное предприятие Numonyx B.V. объявили о прорыве в разработке памяти, в которой используется эффект изменения фазового состояния (phase change memory, PCM). Эта энергонезависимая память объединяет достоинства памяти разных типов.

Впервые исследователи продемонстрировали тестовый чип плотностью 64 Мбит, рассчитанный на многослойную компоновку ячеек на общей подложке. Как утверждается, такой подход позволит увеличить емкость микросхем памяти, снизить их энергопотребление и уменьшить габариты электронных устройств.

Чип стал результатом работ по созданию ячеек с вертикальной интеграцией, получивших обозначение PCMS (phase change memory and switch). Помимо самой ячейки, в PCMS входит коммутатор, получивший название Ovonic Threshold Switch (OTS). Из элементов PCMS формируется массив. Такие массивы можно размещать друг над другом, увеличивая плотность и не теряя в быстродействии памяти.

В готовых продуктах слои ячеек памяти PCM, изготавливаемые по тонкопленочной технологии, будут дополнены декодерами и другими вспомогательными цепями, изготовленными по технологии CMOS.

Источник: Intel

31 октября 2009 Г.

12:24

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс