Крупнейший японский поставщик динамической памяти с произвольным доступом объявил о завершении разработки самых маленьких в отрасли высокоскоростных чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит с пониженным энергопотреблением. Они рассчитаны на производство по нормам 40 нм.
По словам компании Elpida Memory, уменьшение размера кристалла позволило на 44% увеличить выход продукции из одной пластины по сравнению с производством по нормам 50 нм. По сравнению с 50-нанометровой памятью примерно на две трети уменьшен потребляемый ток. Кроме того, новая память может работать при напряжении питания 1,2 и 1,35 В, а также при стандартном для DDR3 SDRAM напряжении 1,5 В. Это дало возможность снизить энергопотребление на 45%.
Примечательно, что при разработке 40-нанометрового техпроцесса ставилась задача снизить затраты на переход к новым нормам. В результате, по оценке компании, инвестиции, необходимые на переход с норм 50 нм на нормы 40 нм почти равны нулю. Более того, переход с норм 65 нм к нормам 40 нм требует меньше затрат, чем переход с норм 65 нм на нормы 50 нм.
Чтобы снизить себестоимость продукции, в компании планируют расширить применение 40-нанометровой технологии и довести его до 50% от общего объема производства.
Появление ознакомительных образцов микросхем 40-нанометровой памяти Elpida DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит ожидается в ноябре. Серийный выпуск этой продукции должен начаться до конца года.
Источник: Elpida Memory