Через год Toshiba и SanDisk начнут выпуск флэш-памяти по нормам «20-нанометрового класса»

Сотрудничающие на ниве производства флэш-памяти типа NAND компании Toshiba и SanDisk начнут серийный выпуск этой продукции по технологии «20-нанометрового класса» во второй половине 2010 года, утверждает источник.

Одновременно с освоением новой технологии фабрики совместного предприятия Flash Alliance, расположенные в Японии, увеличат ежемесячный объем выпуска примерно до 200000 пластин с чипами.

Компания Toshiba, недавно первой в мире освоившая массовый выпуск 32-нанометровых чипов, первоначально рассчитывала, что доля продукции, изготавливаемой по нормам 32 нм, к концу текущего года составит более половины всего объема производства СП. Однако темпы наращивания производства пришлось замедлить.

Конкурирующий с Flash Alliance тандем Intel и Micron Technology рассчитывает освоить нормы 2X нм еще до конца нынешнего года. В настоящее время партнеры по совместному предприятию IM Flash Technologies выпускают память по 34-нанометровой технологии.

Освоение норм «20-нанометрового класса» позволит снизить себестоимость производства, что отразится на цене памяти и продукции, в которой она используется, в частности, SSD.

Источник: DigiTimes

21 сентября 2009 в 11:16

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс