Требования к производительности ноутбуков, настольных систем и серверов растут. В свою очередь, производительность систем во многом определяется производительностью подсистемы оперативной памяти. Особенно сильной эта зависимость становится в случае многоядерных систем.
Одной из технологий, способных обеспечить требуемое увеличение пропускной способности, считается «связная память» (threaded memory). Модуль такой памяти может быть изготовлен из стандартных компонентов, но она будет характеризоваться более полной утилизацией полосы пропускания шины памяти.
Компании Rambus и Kingston совместно создали прототип такого модуля памяти DDR3. Модуль имеет несколько независимых каналов, совместно использующих общий порт команд и адресов. Модуль поддерживает 64-байтные передачи и существенно превосходит обычные модули памяти DDR3 по пропускной способности (разница может достигать 50%). Немаловажно, что обращения к памяти в таком модуле происходят в два раза реже, чем в обычном. По имеющимся данным, это позволяет снизить суммарную потребляемую мощность на 20%.
Прототип будет показан на мероприятии Intel Developer Forum, открывающемся в Сан-Франциско 22 сентября.
Источник: Rambus