Компания Micron Technology сообщила о создании первых в отрасли модулей памяти DDR3 с уменьшенной нагрузкой на шину (load-reduced, dual-inline memory module, LRDIMM). Образцы объемом 16 ГБ компания рассчитывает представить осенью этого года. Новые модули предназначены для серверов. За счет уменьшения нагрузки на шину памяти, модули Micron LRDIMM позволяют повысить скорость передачи и существенно увеличить объем памяти, установленной в системе.
В модулях используются микросхемы памяти производства Micron. Они рассчитаны на напряжение питания 1,35 В. Плотность микросхем, выпускаемых по нормам 50 нм, составляет 2 Гбит. В настоящее время компания готовится начать крупносерийное производство таких микросхем.
Чтобы уменьшить нагрузку на шину, в модулях Micron LRDIMM вместо обычных буферных регистров применена микросхема «изолирующего буфера» производства Inphi (iMB). По сравнению с применяемыми сегодня модулями RDIMM это позволило уменьшить нагрузку на 50% в случае двухрангового модуля и на 75% — в случае четырехрангового модуля.
В результате, вместо трех четырехранговых модулей RDIMM объемом по 16 ГБ (типовая конфигурация в расчете на один процессор), в сервер можно установить до девяти четырехранговых модулей LRDIMMS такого же объема, увеличив суммарный объем памяти с 48 до 144 ГБ. Что касается производительности, по оценке Micron, модули LRDIMM объемом 16 ГБ обеспечивают прирост полосы пропускания системной памяти на 57% по сравнению с модулями RDIMM.
Пока Micron отгружает некоторым клиентам образцы модулей LRDIMM объемом 8 ГБ. Серийный выпуск модулей объемом 16 ГБ компания обещает начать в 2010 году.
Источник: Micron