Почти два года назад мы рассказывали о памяти с произвольным доступом, построенной на переходе вещества из одного фазового состояния в другое (Phase-change Random Access Memory, PRAM) и перспективах ее появления на рынке. Сейчас два основных разработчика памяти, способной заменить одновременно оперативную память и флэш-память, решили объединить усилия.
Компании Samsung Electronics и Numonyx B.V. объявили о совместной разработке спецификаций новых продуктов, получивших обозначение PCM (Phase Change Memory). Как утверждается, память нового поколения поможет производителям сотовых телефонов и других мобильных устройств, встраиваемых систем и компьютеров удовлетворить требованиям повышения производительности и снижения энергопотребления. Создание общей аппаратно-программной платформы PCM даст возможность упростить разработку продукции и сократить связанные с ней затраты времени. Изготовители конечной продукции смогут быстро переключаться между компонентами производства разных компаний.
Ключевыми преимуществами PCM над используемыми сейчас технологиями памяти является потрясающе высокое быстродействие и надежность, и низкое энергопотребление.
Партнеры рассчитывают завершить разработку спецификации, поддерживающей стандарт JEDEC LPDDR2, в текущем году, а появление продукции, удовлетворяющей ее требованиям, ожидается в будущем году.
Источник: Samsung Electronics