GlobalFoundries делится достижениями в технологии HKMG

ПредыдущаяСледующая

На прошедшей неделе в рамках мероприятия 2009 Symposium on VLSI Technology компания GlobalFoundries рассказала об успехах в освоении новых технологических высот.

Была представлена разработка, которая, как утверждается, позволила специалистам компании уменьшить эквивалентную толщину слоя оксида (equivalent oxide thickness, EOT) в транзисторе с применением диэлектрика с высокой диэлектрической постоянной и металлическим затвором (HKMG). Участникам симпозиума были продемонстрированы результаты работы в виде транзисторов n-MOSFET с EOT 0,55 нм и транзисторов p-MOSFET с EOT 0,7 нм. Это соответствует возможности масштабирования HKMG-транзисторов до норм 22 нм и менее.

Компания GlobalFoundries, образованная отделением от AMD, имеет производственные мощности в Германии и планирует строительство нового производства с США. Строительство фабрики, рассчитанной на обработку 300-миллиметровых пластин, обойдется компании в 4,5 млрд. долл. Ввод в строй мощностей с начальной производительностью 35000 пластин в месяц намечен на 2012 год.

Унаследовав место AMD в технологическим альянсе, GlobalFoundries разрабатывает новые технологии совместно с IBM. Ожидается, что GlobalFoundries начнет выпуск HKMG-продукции с соблюдением норм 32 нм во второй половине текущего года, несколько раньше других производителей, участвующих в альянсе. Массовый выпуск по указанной технологии должен быть развернут в первой половине 2010 году.

Источники: GlobalFoundries, EE Times

20 июня 2009 Г.

12:25

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс