Исследователи из американского Национального института стандартов и технологии (NIST) утверждают, что им удалось разработать гибкую память, недорогую и простую в изготовлении.
В основе памяти лежит созданный год назад «мемристор» (memristor). Пока разработка находится в стадии опытного образца. Ученым предстоит решить ряд технических проблем, прежде чем новая память будет пригодна для серийного производства и попадет на рынок, признают участники проекта.
Для создания памяти на листах полимера была сформирована тонкая пленка оксида титана. Формирование пленки было выполнено осаждением из жидкого материала, что позволяет снизить затраты при производстве. Позже на пленку нанесли электрические контакты, получив гибкие «ключи», работающие при напряжении менее 10 В. Память сохраняет сове состояние после отключения питания. Как утверждается, работоспособность памяти сохраняется даже после нескольких тысяч сгибаний полимерной основы.
Источник: EE Times