В июне Samsung приступит к массовому производству памяти следующего поколения — PRAM

Samsung Electronics, как говорит источник, вскоре намерена начать массовое производство памяти типа PRAM (Phase change RAM, память с произвольным доступом, построенная на переходе вещества из одного фазового состояния в другое). Произойдет это уже в июне. «Спешка» вызвана желанием производителя быть лидером в области производства передовой памяти, получившей свойства NAND и NOR флэш-памяти.

Южнокорейская компания сообщила о своём намерении производить 512-МБ чипы (прототип которых был готов уже достаточно давно) памяти PRAM на своей 200-мм фабрике в следующем месяце. Хотя пару лет тому назад коммерциализация этой технологии намечалась на 2008 год. Первые же «пилотные» образцы ёмкостью 256 МБ были разработаны ещё в 2005 году.

Phase-change Random Access Memory (PRAM), напомним, интересна своей потенциально высокой скоростью работы. Она примерно в 30 раз быстрее современной флэш-памяти, для её перезаписи не требуется стирание предварительных данных. Также PRAM обещает быть более долговечной, чем флэш-устройства — срок её службы примерно в 10 раз больше.

Автор:

| Источник: CDR-info

Все новости за сегодня

Календарь

май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31