В феврале будущего года Samsung покажет чипы DRAM плотностью 8 Гбит

ПредыдущаяСледующая

Не международной конференции International Solid State Circuits Conference, которая пройдет в феврале, компания Samsung покажет память DRAM плотностью 4 и 8 Гбит, утверждает источник. На этом же мероприятии специалисты Toshiba и SanDisk представят чипы флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 64 Гбит, каждая ячейка которых способна хранить четыре бита информации.

Корпорация Intel будет доминировать на заседании, посвященном процессорам. Она подготовила четыре из восьми запланированных докладов. В частности, будет представлен восьмиядерный x86-совместимый процессор для серверов, в котором используется 2,3 миллиарда транзисторов. Интересно, что другие крупные разработчики процессоров — AMD, IBM, Fujitsu и Sun Microsystems — не планируют выступать на конференции с докладами.

В упомянутых выше компонентах памяти Samsung плотностью 8 Гбит используются технологии вертикальной компоновки. Четыре чипа плотностью 2 Гбит соединены между собой с помощью «связи сквозь кремний» (through-silicon vias). В докладе южнокорейского производителя описаны технологии проверки и коррекции, позволяющие существенно увеличить процент выхода годной продукции.

Источник: EE Times

27 ноября 2008 Г.

00:45

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30