Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о том, что два производимых ею решения DDR3 получили «добро» от Intel на совместную работу с платформами Core i7 (Nehalem). Одно из решений представляет собой компонент памяти DDR3 SDRAM (x8), а второе — модуль DDR3-1066 объемом 4 ГБ, предназначенный для настольных ПК.
В указанных продуктах используются чипы памяти плотностью 2 Гбит, изготавливаемые по нормам 50 нм. Использование норм 50 нм, по данным Samsung, существенно уменьшило энергопотребление по сравнению с памятью DDR3 плотностью 1 Гбит (разница достигает 40% при скорости обмена 1333 Мбит/с);
По оценке экспертов компании IDC, в будущем году на долю DDR3 придется 29% рынка DRAM, а к 2011 году эта величина возрасте до 72%. В свою очередь, доля продуктов плотностью 2 Гбит за этот период вырастет с 3% до 33%.
Источник: Samsung Electronics