В 22-нм техпроцессе, вероятнее всего, будет использоваться EUV

ПредыдущаяСледующая

По словам Курта Ронса (Kurt Ronse), директора программы передовой литографии в IMEC, наиболее вероятной технологией при освоении норм 22 нм и менее является литография в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

Пока пропускная способность прототипа соответствующего оборудования примерно равна 2,5 пластины в час. Чтобы приблизиться к показателям оборудования для оптической литографии, предстоит увеличить это значение до 100 пластин в час.

Вступая перед прессой на мероприятии IMEC Annual Research Review Meeting, Ронс сказал, что ни один из двух способов, рассматриваемых в качестве средства для расширения возможностей иммерсионной литографии, похоже, не даст удовлетворительных результатов. В частности, способ, построенный на увеличении показателя преломления иммерсионной среды, не принес успеха, поскольку темпы разработки соответствующего материала отстают от графика ITRS. Это выводит EUV на первый план.

Предсерийные образцы EUVL-оборудования IMEC рассчитывает иметь в начале 2010 года. Первые экспериментальные образцы такого оборудования компания ASML Holdings NV отправила заказчикам, в числе которых был институт, в 2006 году. Пока с его помощью удалось изготовить 32-нм чипы SRAM.

Источник: EE Times

22 октября 2008 Г.

16:45

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31