Снимки системной платы для Core i7 подтвердили наличие ограничений, налагаемых на модули памяти

ПредыдущаяСледующая

Информация о том, что первые системы на процессорах Nehalem будут поддерживать лишь медленную память DDR3-800 и DDR3-1066, получила очередное подтверждение.

Проектируя Nehalem, компания Intel внесла кардинальные изменения в схему работы с памятью. Процессоры будут иметь встроенный контроллер памяти со 192-разрядной шиной, необходимой для поддержки трехканальной памяти DDR3. Именно с контроллером связаны некоторые ограничения на напряжения питания DIMM, поддерживаемые системой.

Оказавшийся в руках наших коллег экземпляр ASUS P6T Deluxe OC Palm Edition предназначался для розничной торговли, поэтому имеет всевозможные предупредительные наклейки. Одна из них, перекрывающая шесть слотов для модулей DDR3 DIMM, гласит примерно следующее: «Согласно спецификациям CPU Intel, модули памяти DIMM с напряжением более 1,65 В могут вызвать поломку процессора. Мы рекомендуем устанавливать модули с напряжением менее 1,65 В».

Это может оказаться неприятным сюрпризом для тех, кто уже обзавелся памятью DDR3, рассчитывая использовать ее на новой платформе, в случае, если припасенная память работает при напряжении более 1,65 В. Это также означает, что в ближайшем будущем могут появиться модули, которые рассчитаны на «разгон» при пониженных напряжениях питания. Известно, что производители памяти давно и успешно работают над выпуском микросхем DRAM, рассчитанных на пониженные напряжения питания. В качестве примера можно привести компанию Samsung, уже выпустившую 60-нм чипы DDR2 плотностью 2 Гбит, работающие при напряжении 1,55 В, и чипы DDR3 такой же плотности, работающие при еще более низком напряжении.

Источник: XFastest

4 октября 2008 Г.

16:00

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31