Компания MetaRAM, не имеющая собственного производства, фокусируется на улучшении оперативной памяти. На этом поприще ей удалось добиться определенных успехов. На мероприятии IDF компания представила свою разработку под названием DDR3 MetaSDRAM. Как утверждается, эта технология позволит удвоить объем памяти DDR3 в будущих серверах и рабочих станциях Intel при сохранении высокой тактовой частоты, получив лучшие в мире показатели удельной емкости памяти на один канал.
Разработка MetaRAM была упомянута в обращении главы Intel, Патрика Гелсингера; в программу Intel на форуме включен показ самых емких в мире 2-ранговых регистровых модулей памяти (R-DIMM) объемом 16 ГБ и 144-ГБ системы с памятью DDR3 MetaSDRAM производства Hynix Semiconductor.
Важно, что специалисты MetaSDRAM создали решение, не требующее модификации самой системы. С его помощью можно сократить разрыв между растущей вычислительной мощью процессора, которая, по оценке источника, удваивается каждые полтора года, и емкостью DRAM, которая удваивается лишь каждые три года. Ранее увеличение объема памяти было возможно только одним способом — увеличением плотности модулей, причем, как известно, самые емкие и новые модули стоят непропорционально дороже массовых.
Чипсет MetaSDRAM, который включается между контроллером памяти и DRAM, решает проблему емкости памяти, позволяя установить на один модуль DIMM в четыре раза больше компонентов DRAM, чем обычно. При этом не нужны никакие переделки аппаратной или программной части системы. С точки зрения системы новинка выглядит, как обычная память увеличенного размера.
Чипсет MetaRAM DDR3 MetaSDRAM доступен в вариантах, поддерживающих 4, 8 и 16 ГБ памяти. Все три варианта позволяют создавать модули R-DIMM, соответствующие требованиям JEDEC. Первые два рассчитаны на работу с частотой шины до 1333 МГц, последний — до 1066 МГц.
Источник: MetaSDRAM