Не имеющая собственного производства компания BeSang продемонстрировала чипы, в которых с помощью 128 миллионов вертикальных транзисторов реализована память, сформированная поверх логических управляющих цепей. Чип был проектирован совместно специалистами корейского центра National Nanofab Center и американского Stanford Nanofab. По словам BeSang, технологический процесс, защищенный более чем 25 патентами, который был применен для изготовления чипа, позволит располагать флэш-память, память типа DRAM и SRAM поверх логических схем, микропроцессорных ядер и однокристальных систем.
Разработчики избрали следующий подход: сначала с помощью высокотемпературного процесса (850°С) была выполнена логическая часть схемы, а затем, поверх нее, с помощью низкотемпературного процесса собственной разработки (400°С), «наложена» память. Поместив логику и память в разные слои одной трехмерной микросхемы, удалось повысить степень интеграции и снизить удельную стоимость чипа.
По мнению экспертов, разработки в этой области, существовавшие до BeSang, были псевдотрехмерными. Именно такой термин использовал профессор Саймон Цзе (Simon Sze), один из тех, кто в 1967 году изобрел транзистор с плавающим затвором для ячеек энергонезависимой памяти.
Демонстрационный чип был изготовлен по технологии CMOS с применением норм 180 нм. В его структуру вошел слой вертикальных транзисторов, походящих для изготовления флэш-памяти или оперативной памяти типа DRAM и SRAM. Слой памяти был перенесен с донорской пластины. Нижний слой был отделен от верхнего монокристаллом кремния. Между собой слои связаны двумя слоями металлических связей.
Источник: EE Times