Оптическую литографию можно будет использовать при производстве полупроводниковых микросхем по нормам 12 нм, утверждают исследователи Массачусетского технологического института (MIT). Пока им удалось продемонстрировать возможность формирования линий толщиной 25 нм с помощью разработки, получившей название литографии с интерференцией луча развертки.
Ученые полагают, что эта же самая технология позволит работать с разрешением, по меньшей мере, до 12 нм. По их словам, при дальнейшем продвижении вперед основными основными ограничивающими факторами становятся шероховатость материалов и невозможность наблюдать столь малые структуры.
В интерференционной литографии используется два лазера с разной рабочей частотой. За счет их интерференции формируется дифракционная картина с гораздо более высоким разрешением, чем обеспечивает любой из лазеров отдельно. Ограничения, не связанные с оптическими факторами, ограничивают применение интерференционной литографии процессами проверки фоторезиста, а не реальным формированием элементов электронных цепей на поверхности пластины.
Добавив возможность развертки или сканирования, ученые рассчитывают перевести интерференционную литографию в разряд коммерчески применимых технологий производства чипов по нормам 25 нм и менее.
В обычной литографии полупроводниковая пластина остается неподвижной, а в интерференционной она все время движется. К сожалению, перемещение пластины относительно лазеров приводит к доплеровскому смещению частот. Это становится причиной нерегулярностей в дифракционной картине, что препятствует практическому применению технологии. По словам исследователей из MIT, проблему удалось решить, воздействуя на пластину ультразвуковыми волнами с частотой 100 МГц, компенсирующими нежелательный эффект.
Коммерциализацией разработки будет заниматься компания Plymouth Grating Laboratory, созданная руководителем проекта.
Источники: EE Times, Plymouth Grating Laboratory, MIT