Компания Walton Chaintech, вслед за выпуском в июне памяти серии APOGEE GT (DDR3-1600 и DDR3-1800), которая, соответственно, работала на частоте 1600 и 1800 МГц при напряжении питания 1,8 и 1,9 В, представила еще один набор общим объемом 4 ГБ.
Вновь представленная память APOGEE GT Blazer DDR3 1800 4GB Low Voltage имеет весьма похожие характеристики. Как и в случае с представленной ранее памятью DDR3, она поддерживает профайлы EPP 2.0, но может работать при более низком напряжении — 1,8 В. Тайминги новой памяти повторяют значения, приводимые ранее для модулей DDR3-1800 — CL 8-8-8-24.
Источником сообщается, что в памяти серии APOGEE GT Blazer (8 слоев PCB, 16 FBGA-микросхем Samsung 128x8) достигнут хороший баланс высокой производительности при низком напряжении питания. Производительность памяти при операциях чтения (пропускная способность памяти, ПСП) в популярном тестовом пакете EVEREST составила 28,8 ГБ/с.
С каждой вновь выпущенной моделью памяти, как правило, растет и рабочая частота памяти, а следовательно, ее нужно охлаждать. Для этих целей у производителя имеется запатентованный, высокопроизводительный радиатор — Cool It Smart.