Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о готовности своего первого производства к выпуску чипов по нормам 40 нм. Первые пластины будут изготовлены по новому техпроцессу во втором квартале.
По оценке компании, в 40-нм чипах плотность размещения элементов в 2,35 раза выше, чем в 65-нм. Кроме того, переход на более тонкие нормы позволяет заметно снизить энергопотребление. Предусмотрен выпуск продукции общего назначения, оптимизированной по двум критериям — производительности (40G) и энергопотреблению (40LP).
Среди продуктов, которые TSMC рассчитывает выпускать с применением техпроцесса 40LP, названа элементная база портативных устройств и оборудования беспроводных сетей, техпроцесс 40G больше подойдет для микропроцессоров; графических процессоров; микросхем, применяемых в игровых консолях; программируемых матриц (FPGA) и других высокопроизводительных изделий. Переход к нормам 40 нм получен линейным масштабированием, так что, например, производительность памяти типа SRAM сохранена на уровне такой памяти, выпускаемой по нормам 45 нм, а размеры ячейки являются самыми маленькими в отрасли — 0,242 кв.мкм.
Для выпуска продукции по нормам 40 нм применяется комбинация 193-нм иммерсионной литографии и материалов со сверхмалой диэлектрической проницаемостью (extreme low-k, ELK). Пока выпуском 40-нм чипов займется фабрика TSMC Fab 12. По мере увеличения спроса на новую продукцию компания рассчитывает освоить новый техпроцесс и на Fab 14 — второй фабрике TSMC, работающей с 12-дюмовыми (300 мм) пластинами.
Источник: TSMC