По словам компании SanDisk, она рассчитывает начать серийное производство первой в мире флэш-памяти 3-bit-per-cell (x3) NAND в марте-апреле 2008 года. Для производства 16-Гбит приборов x3 NAND будет задействован стандартный 56-нм техпроцесс SanDisk. Интересно, что новая память, в которой каждая ячейка хранит три бита информации, обеспечивает увеличение выхода чипов из одной пластины более чем на 20% по сравнению с памятью 2-bits-per-cell NAND, обычно называемой Multi-Level Cell (MLC), при тех же нормах техпроцесса.
Другими словами, новая память дает возможность повысить эффективность производства и снизить себестоимость продукции. Разработкой архитектуры x3 специалисты SanDisk занимались в течение последних двух лет. Как утверждается, в результате, им удалось достичь такого же уровня производительности и надежности, какую имеют приборы SanDisk 2-bits-per-cell NAND. Что касается быстродействия, по данным компании, 16-Гбит чипы 3-bits-per-cell NAND имеют скорость записи 8 МБ/с.
В создании участвовал партнер SanDisk по разработке и производству флэш-памяти — компания Toshiba. Напомним, еще одним плодом совместной работы SanDisk и Toshiba стала подготовка массового выпуска флэш-памяти типа Multi-Level (MLC) NAND по нормам 43 нм.
Источник: SanDisk