Корпорация SanDisk объявила о начале массового выпуска флэш-памяти типа Multi-Level (MLC) NAND по нормам 43 нм. Соответствующий технологический процесс был разработан совместно с компанией Toshiba. Как сообщается, переход к 43-нм технологии обеспечивает удвоение плотности памяти по сравнению с 16-Гбит чипами, выпускаемыми по нормам 56-нм. Таким образом, удается снизить себестоимость продукции.
В течение второго квартала, SanDisk намеревается начать отгрузку готовой продукции, в которой будут использованы чипы памяти типа MLC NAND максимальной в отрасли плотности. Первыми к заказчикам поступят продукты, выполненные на базе 16-Гбит чипов, а во второй половине года компания обещает освоить 32-Гбит чипы.
Освоение технологии было возложено на производство Toshiba, размещенное в Японии. За время сотрудничества, компании SanDisk и Toshiba внедрили на этих мощностях большое количество совместных разработок в области MLC NAND и совместно используют производимую здесь продукцию. На первом этапе 43-нм флэш-память будет выпускать Fab 4 — недавно запущенное производство, работающее с 300-мм пластинами. Во второй половине года на нормы 43 мм планируют перевести и Fab 3.
Напомним, к концу 2009 года Toshiba надеется начать серийное производство флэш-памяти по нормам 30 нм.
Источник: SanDisk