Японская компания NEC сообщила о разработке самой быстродействующей в мире памяти типа MRAM.
Новая память совместима с широко используемой памятью типа SRAM и может работать на частоте 250 МГц. Плотность чипа MRAM составляет 1 Мбит (снимок кристалла приведен на иллюстрации). Устройство ячейки включает два транзистора, один переход с магнитно-туннельным эффектом и специальную электронную схему, позволившую повысить быстродействие.
По сравнению с памятью MRAM, уже представленной на рынке, новая память имеет вдвое более высокое быстродействие. Тесты, проведенные компанией, показывают, что время выборки при тактовой частоте 250 МГц составляет 3,7 нс. Предполагается, что высокое быстродействие позволит использовать MRAM в схемах большой степени интеграции вместо SRAM.
Компания NEC разрабатывает память MRAM с 2000 года.
Источник: NEC