Toshiba рапортует об успехах в создании памяти MRAM

ПредыдущаяСледующая

Сегодня в США завершилась 52 конференция по магнетизму и магнитным материалам. На этом мероприятии корпорация Toshiba поделилась своими достижениями в области магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM) – технологии, которой прочат лавры универсальной памяти следующего поколения. По словам компании, ей уже удалось выпустить работоспособную память MRAM, в которой используются новые технологии, представленные на конференции, подтвердив на практике правильность выбранного пути.

Напомним, к преимуществам MRAM относят высокое быстродействие и надежность, малое энергопотребление. Теоретически, MRAM имеет большой потенциал увеличения плотности хранения, поскольку структура ячеек памяти (показана на схеме) сравнительно проста.

Коротко говоря, специалистам Toshiba удалось проверить на практике возможность применения технологии переключения передачей спинового вращательного момента и перпендикулярной магнитной анизотропии (PMA) в туннельном магниторезистивном элементе (MTJ), являющемся ключевым компонентом ячейки памяти.

Переключение передачей спинового вращательного момента построено на свойстве спина электрона изменять знак намагниченности на противоположный. Эту технологию многие специалисты считают основным кандидатом на использование в памяти будущего, поскольку она дает возможность записывать данные с очень малыми затратами энергии. В свою очередь, PMA придает намагниченности направление, перпендикулярное магнитному слою, в отличие от параллельной ориентации намагниченности, характерной для слоев с плоскостной анизотропией. Эта технология все чаще применяется для повышения плотности записи в жестких магнитных дисках. Компании Toshiba удалось применить ее в полупроводниковой памяти.

Источники: Toshiba, TechOn!

9 ноября 2007 Г.

18:47

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс