Южнокорейской компании Samsung Electronics удалось первой в мире изготовить чип флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 64 Гбит, используя техпроцесс «30-нм класса». По словам производителя, это крупный шаг вперед в увеличении плотности хранения данных в решениях на базе флэш-памяти, предназначенных для ПК и потребительской электроники.
Например, объединив 16 таких чипов, можно получить карточку памяти объемом 128 Гбайт. По подсчетам компании, этого объема достаточно для хранения 80 фильмов или 32000 песен.
Ключом к изготовлению новинки стало применение нового технологического процесса, получившего название «двойное шаблонирование с самовыравниванием» (self-aligned double patterning technology, SaDPT). Особенностью указанного техпроцесса является двухступенчатое формирование структур на поверхности пластины. Применение SaDPT устраняет узкое место, возникающее при переходе к структурам менее 30 нм, за счет расширения возможностей традиционной литографии.
Другими словами, Samsung полагает, что SaDPT даст возможность использовать имеющееся литографическое оборудование для производства чипов по нормам около 30 нм. Коммерческий выпуск такой продукции планируется развернуть к началу 2009 года.
О масштабе разработки говорит такой факт – компания подала 30 заявок на патенты, так или иначе связанные с новым чипом памяти. Это неслучайно, ведь применение имеющегося оборудования позволит не только ускорить освоение новых норм, но и существенно снизить связанные с этим расходы.
Одновременно, компания Samsung сообщила о готовности чипа SLC NAND плотностью 32 Гбит, также созданного с применением SaDPT.
Источник: Samsung Electronics