Не секрет, что в ближайшем (скором) будущем на смену популярной флэш-памяти придет новая, более совершенная технология. Вопрос только в том, что за технология унаследует "трон" флэш-носителей и когда именно это случится.
Исследователи из Университета Пенсильвании (University of Pennsylvania) показали свое видение возможного развития перспектив в этой области. Группа профессора Ритеша Агарваля (Ritesh Agarwal) на факультете материаловедения (Materials Science & Engineering) разработала вариант памяти с изменением фазового состояния. Это новая технология, основанная на самоорганизующихся нанопроводниках с применением теллурида германия и сурьмы — материала с изменяемым состоянием, способным переходить из аморфного состояния структур в кристаллическое и обратно. Именно это и обеспечивает саму возможность операций чтения и записи такой технологически прогрессивной и совершенной памяти.
Вышеуказанные нанопроводники имеют размеры порядка 100 атомов в диаметре. Они имеют свойство произвольно самособираться. Это процесс, при котором химические реагенты кристаллизуются при низкой температуре и служат связующим звеном для металлических частиц наномасштаба, образуя таким образом нанопроводники. Последние характеризуются диаметром в 30-50 нм и вытягиваются на 10 мкм в длину.
Первые тесты памяти группы Агарваля показали, что процессы чтения, записи протекают за время, равное 50 нс (!), что, собственно, и означает то, что такая память будет, примерно в 1000 раз быстрее флэш-памяти. При этом также достигнуто значительное уменьшение энергопотребления — для записи 1 бита данных нужно порядка 0,7 мВт. Жизненный цикл такой памяти, как сообщается, тоже гораздо длиннее, чем у флэш-памяти и составляет внушительные 100 тыс. лет.
На фоне всех достоинств и плюсов столь многообещающей технологии является ее очень нескорая коммерциализация, по крайней мере, для массового потребителя. В свободной продаже память с изменением фазового состояния поступит не раньше, чем через 8-10 лет.